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现今,集成电路晶体管普遍采用硅材料制造,当硅材料尺寸小于10纳米时,用它制造出的晶体管稳定性变差
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。定义:严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器)。参考: http://baike.baidu.com/link?url=Uei6tGb6T46N2Ce7DIAe4AYwBFa51hUsW8_3Woubx6woe1e2gxL9KnQng4rpHGd3-G1ne4lgzwr9ySsEtn3S3QcNAxqliHEj41Vru7yDwHK#8_1
晶体管就是用半导体材料制成的,这类材料最常见的便是锗和硅两种)
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管分类编辑晶体管材料按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管
一般情况是紫铜,外层镀镍,或镀锡,特殊的镀银或金
晶体管是二极管、三极管、场效应管等元器件的统称。
用来制造晶体管和集成电路的半导体,主要是指
碳族元素。比如:硅和锗。硅和锗是制作半导体的一种最重要的材料。此外,砷化镓、磷
化镓、硫化镉、硫化锌以及一些金属的化合物等都是半导体。不过用途最广的还是硅半导
体。
光晶体管所用材料通常是砷化镓(GaAs),主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件
最初应用于有机薄膜晶体管半导体有源层的既是有机共辘高分子材料,如polyaeetylene(PA)、polythiophene及pozypyrroze等。为了增加聚合物的溶解性,以便于印刷、喷墨打印、旋涂等低成本制备工艺,常在高分子主链上加上取代基,如poly(3一alkyzthiophene)(PAT);或者利用可溶性的先驱物(preeursors)再聚合成高聚物材料,如polyaeetylene(PA)、p01yphenylenevinylene(即V)及polythienylenevinylene(PTv)。[1]
目前,大量的共扼低聚物也被应用于OTTF的有源层,其中以唆酚(thiophene)的低聚物被研究的较多。从不含取代基的3T(terthiophene)到ST(octihtiophene),以及在p位置或在两端。位置含烷基链取代基的唆酚低聚物都曾被广泛研究过164一67],而以4T(q。aterthi。phene)和6T(seXithi。phene)以及它们Q、。二己基衍生物的表现较好,其结构如图1.5所示。但由于这一类低聚物的溶解度较差,因此在制备上一般采用真空蒸发方式来成膜。
富含兀电子分子有机材料在近十几年来也被陆续应用于OTFT有源层,例如并五苯(pentaCene),酞首(phthal。Cyanine)系列金属配合物(如稀土类sCPeZ、LuPe:和TmPeZ,NIPc、znPc和euPc、F16MPc等),富勒烯e6o(fullereneee6o)以及TeNQ(tetraeyanoquinodimethane)等。